EXPERIMENTAL ANALYSIS OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENTS USED IN FLYBACK CONVERTERS
DOI :
https://doi.org/10.59277/RRST-EE.2024.1.12Mots-clés :
Alimentation à découpage, Vol de retour, MOSFET, IGBT, Diode de récupération rapide, Diode SchottkyRésumé
Les alimentations à découpage (SMPS) sont devenues très populaires ces derniers temps en raison de leur efficacité supérieure et de leurs dimensions compactes par rapport à leurs homologues classiques contenant des transformateurs basse fréquence. Cette efficacité et cette miniaturisation sont liées à plusieurs facteurs, notamment des fréquences de fonctionnement élevées, généralement comprises entre le kHz et le MHz, l'utilisation de matériaux ferromagnétiques pour le couplage inductif et l'incorporation de composants de commutation actifs pour atténuer la perte d'énergie via l'effet Joule-Lenz. L'amélioration de l'efficacité du SMPS implique le dimensionnement et la disposition des éléments de circuit actifs (diodes, transistors, etc.). Cet article présente une approche pratique en abordant une série d’expériences pour analyser et comparer les performances de différents composants actifs. Cela commence par l'analyse du module générateur PWM du primaire et se poursuit avec les transistors à effet de champ et les diodes de redressement du secondaire. La topologie flyback asynchrone a été choisie pour réaliser les expériences. En utilisant la même plateforme expérimentale, sur la base des résultats obtenus, l'analyse des différences de comportement entre les différents composants a été réalisée.
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